г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLBA1304P Infineon Technologies

Артикул
IRLBA1304P
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220, N-Channel 40 V 185A (Tc) 300W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLBA1304P.jpg
Supplier Device Package
SUPER-220™ (TO-273AA)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7660 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-273AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
185A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLBA1304P
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R125P6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3, N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF7480MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET, N-Channel 40 V 217A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
Подробнее
Артикул: BCR112E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPN70R900P7SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223, N-Channel 700 V 6A (Tc) 6.5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: BSZ017NE2LS5IATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON, N-Channel 25 V 27A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: BC859-C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее