г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLBA1304P Infineon Technologies

Артикул
IRLBA1304P
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220, N-Channel 40 V 185A (Tc) 300W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLBA1304P.jpg
Supplier Device Package
SUPER-220™ (TO-273AA)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7660 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-273AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
185A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLBA1304P
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7343TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BFP650
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4, RF Transistor NPN 4.5V 150mA 37GHz 500mW Surface Mount PG-SOT343-3D
Подробнее
Артикул: BSS138NH6327XTSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3, N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IGCM20F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 20A 24PWRDIP MOD, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: BCR133SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRGP4068D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 96A TO247AD, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AD
Подробнее