г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFN26E6327 Infineon Technologies

Артикул
BFN26E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
7 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BFN26E6327.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
3,000
Other Names
2156-BFN26E6327,INFINFBFN26E6327
HTSUS
8541.21.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF2805PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSZ063N04LS6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON, N-Channel 40 V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: IKCM30F60GDXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRF3205L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 110A TO262, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BSC067N06LS3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRLTS2242TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP, P-Channel 20 V 6.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Подробнее