г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLML6402GTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLML6402GTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23, P-Channel 20 V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Цена
71 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLML6402GTRPBF.jpg
Supplier Device Package
Micro3™/SOT-23
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
633 pF @ 10 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLML6402GTRPBFTR,IRLML6402GTRPBFDKR,IRLML6402GTRPBFCT,SP001578888,IRLML6402GTRPBF-ND
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA60R190P6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IPP65R190CFDXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3, N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: FZ1600R12HP4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FZ1600R12 - IGBT MODULE, IGBT
Подробнее
Артикул: BSC042N03LSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSC042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Подробнее
Артикул: IRFU9024N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IKCM15H60GAXKMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IFPS MODULES 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 15 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее