г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR2705TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR2705TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK, N-Channel 55 V 28A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
145 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR2705TRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLR2705TRPBF,IRLR2705PBFCT,IRLR2705PBFTR,IRLR2705TRPBFTR-ND,IRLR2705PBFDKR,IRLR2705TRPBF-ND,SP001578864
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLR2705
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL3803PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB, N-Channel 30 V 140A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: DD1200S17H4_B2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DD1200S17 - RECTIFIER DIODE MODU, Diode
Подробнее
Артикул: IRL3705NL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 89A TO262, N-Channel 55 V 89A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRFB3206GPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB, N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGB4059DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 8A 56W TO220AB, IGBT Trench 600 V 8 A 56 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FS225R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 325A 1150W, IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 325 A 1150 W Chassis Mount Module
Подробнее