г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAS21UE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAS21UE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE ARRAY GP 200V 250MA SC74-6, Diode Array 3 Independent Standard 200 V 250mA (DC) Surface Mount SC-74, SOT-457
Цена
95 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
Image
files/BAS21UE6327HTSA1.jpg
Base Product Number
BAS21U
Other Names
BAS21UE6327HTSA1DKR,BAS21UE6327INTR-ND,BAS21UE6327INCT-ND,BAS21UE6327INTR,BAS21UE6327,BAS21UE6327HTSA1TR,BAS 21U E6327,SP000012610,BAS21UE6327INDKR,BAS 21U E6327-ND,BAS21UE6327XT,2156-BAS21UE6327HTSA1,BAS21UE6327INCT,IFEINFBAS21UE6327HTSA1,BAS21UE6327HTSA
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
200 V
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Diode Configuration
3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
250mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
100 nA @ 200 V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
SC-74, SOT-457
Supplier Device Package
PG-SC74-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Operating Temperature - Junction
150°C (Max)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR142E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IGW40T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 75 A 270 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BC807-25
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: SPP04N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: AUIRGS4062D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 59A 246W D2PAK, IGBT Trench 600 V 59 A 246 W Surface Mount D?PAK
Подробнее
Артикул: IRF7464
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO, N-Channel 200 V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее