г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR3103 Infineon Technologies

Артикул
IRLR3103
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK, N-Channel 30 V 55A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount D-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR3103.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLR3103
Standard Package
75
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
107W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF450R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 520 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: FS20R06VE3B2BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 600V 25A 71.5W, IGBT Module - Three Phase Inverter 600 V 25 A 71.5 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCX42E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 125V 0.8A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 125 V 800 mA 150MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BAT68E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - Single 8V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFR3806PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSZ160N10NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON, N-Channel 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее