г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR3636TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK, N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
336 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR3636TRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3779 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLR3636TRPBFDKR,IRLR3636TRPBFCT,IRLR3636TRPBFTR,SP001574002
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLR3636
Power Dissipation (Max)
143W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3707
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB, N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFP90N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC, N-Channel 200 V 94A (Tc) 580W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFU3711
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK, N-Channel 20 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BSC120N03LSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON, N-Channel 30 V 12A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: BCR112E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRL1404ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее