г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLTS6342TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP, N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Цена
86 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLTS6342TRPBF.jpg
Package / Case
SOT-23-6
Supplier Device Package
6-TSOP
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1010 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLTS6342TRPBFCT,IRLTS6342TRPBFDKR,IRLTS6342TRPBFTR,SP001578898
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRLTS6342
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP11N65C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IPA95R750P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 9A TO220, N-Channel 950 V 9A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BCR198E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: SI3443DVTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP, P-Channel 20 V 4.4A (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: D921S45TXPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 4.5KV 1630A, Diode Standard 4500 V 1630A Chassis Mount -
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A 23PWRSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее