г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLU3715 Infineon Technologies

Артикул
IRLU3715
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 54A I-PAK, N-Channel 20 V 54A (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) Through Hole I-PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLU3715.jpg
Supplier Device Package
I-PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1060 pF @ 10 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLU3715
Standard Package
75
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 71W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: F475R12KS4B11BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 500W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 100 A 500 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPA60R170CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 8A TO220, N-Channel 650 V 8A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IPB033N10N5LFATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3, N-Channel 100 V 120A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRGS4B60KD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 63W D2PAK, IGBT NPT 600 V 11 A 63 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: AUIRFZ44Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BC817-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 45V 800MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
Подробнее