г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ISC037N03L5ISATMA1 Infineon Technologies

Артикул
ISC037N03L5ISATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON, N-Channel 30 V 20A (Ta), 78A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
133 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/ISC037N03L5ISATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Ta), 78A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 15 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
ISC037
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerTDFN
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-ISC037N03L5ISATMA1TR,SP005408608,448-ISC037N03L5ISATMA1CT,448-ISC037N03L5ISATMA1DKR
Standard Package
5,000
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 37W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGR4610DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 77W DPAK, IGBT - 600 V 16 A 77 W Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFSL7437PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO262, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRLI520N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP, N-Channel 100 V 8.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BAT5403WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOT 30V 200MA SOD323-2, Diode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IRF7389TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF1404PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB, N-Channel 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее