г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBT3904LT1 Infineon Technologies

Артикул
MMBT3904LT1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MMBT3904LT1.jpg
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Other Names
2156-MMBT3904LT1-ITTR-ND,2156-MMBT3904LT1,IFEINFMMBT3904LT1
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Frequency - Transition
300MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR583
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF1404L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 162A TO262, N-Channel 40 V 162A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: FP25R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 40A 155W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 40 A 155 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPD30N10S3L34ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3, N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IGW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60B-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A SIP2, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее