г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBTA06LT1 Infineon Technologies

Артикул
MMBTA06LT1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANSISTOR NPN 80V 0.5A, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Цена
5 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MMBTA06LT1.jpg
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Other Names
2156-MMBTA06LT1,2156-MMBTA06LT1-ITTR-ND,IFEINFMMBTA06LT1
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPN80R2K0P7
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPN80R2K0 - 800V COOLMOS N-CHANN,
Подробнее
Артикул: BSM100GD120DLCBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO, IGBT Module
Подробнее
Артикул: BAT15-099R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MIXER DIODE, LOW BARRIER, X BAND, RF Diode
Подробнее
Артикул: IRF7811AVTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO, N-Channel 30 V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IKCM10H60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 10A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRFB3507
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB, N-Channel 75 V 97A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее