г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGP07N120XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SGP07N120XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 16.5A 125W TO220, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO220-3-1
Цена
456 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SGP07N120XKSA1.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
16.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
27 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.6V @ 15V, 8A
Power - Max
125 W
Switching Energy
1mJ
Input Type
Standard
Gate Charge
70 nC
Td (on/off) @ 25°C
27ns/440ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Last Time Buy
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SGP07N120-ND,2156-SGP07N120XKSA1,SP000683116,SGP07N120,IFEINFSGP07N120XKSA1
Standard Package
500
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Test Condition
800V, 8A, 47Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW25T120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: FD250R65KE3KNOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 6500V 250A 4800W, IGBT Module - Single 6500 V 250 A 4800 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRL540NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK, N-Channel 100 V 36A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRAM136-3063B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC HYBRID PWR 30A 600V RES SIP3, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRF3710L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 57A TO262, N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: SPD15P10P G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее