г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGP07N120XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SGP07N120XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 16.5A 125W TO220, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO220-3-1
Цена
456 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SGP07N120XKSA1.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
16.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
27 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.6V @ 15V, 8A
Power - Max
125 W
Switching Energy
1mJ
Input Type
Standard
Gate Charge
70 nC
Td (on/off) @ 25°C
27ns/440ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Last Time Buy
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SGP07N120-ND,2156-SGP07N120XKSA1,SP000683116,SGP07N120,IFEINFSGP07N120XKSA1
Standard Package
500
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Test Condition
800V, 8A, 47Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC066N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6, N-Channel 60 V 64A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IPB020N10N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: SGP07N120XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 16.5A 125W TO220, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IPI023NE7N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IRLR8729PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK, N-Channel 30 V 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRLHS2242TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN, P-Channel 20 V 7.2A (Ta), 15A (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее