г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGP30N60 Infineon Technologies

Артикул
SGP30N60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Through Hole TO-220AB
Цена
326 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SGP30N60.jpg
Supplier Device Package
TO-220AB
Power - Max
250 W
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Test Condition
400V, 30A, 11Ohm, 15V
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 30A
Current - Collector Pulsed (Icm)
112 A
Switching Energy
1.29mJ
Gate Charge
140 nC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-SGP30N60,IFEINFSGP30N60
Standard Package
1
Td (on/off) @ 25°C
44ns/291ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3205L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 110A TO262, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: AUIRF1405ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK, N-Channel 55 V 150A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IDH06SG60CXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: IPU60R1K0CEAKMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3, N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 61W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: BAR6405WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100 mA 250 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: BC858CE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее