г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGP30N60 Infineon Technologies

Артикул
SGP30N60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Through Hole TO-220AB
Цена
326 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SGP30N60.jpg
Supplier Device Package
TO-220AB
Power - Max
250 W
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Test Condition
400V, 30A, 11Ohm, 15V
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 30A
Current - Collector Pulsed (Icm)
112 A
Switching Energy
1.29mJ
Gate Charge
140 nC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-SGP30N60,IFEINFSGP30N60
Standard Package
1
Td (on/off) @ 25°C
44ns/291ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SDB20S30
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 300 V 10A (DC) Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: IRFL4105TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223, N-Channel 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: SPU08P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO251-3, P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: IRF2907ZS-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK, N-Channel 75 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: BCR512E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: AUIRFR5305TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее