г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPA11N80C3XKSA2 Infineon Technologies

Артикул
SPA11N80C3XKSA2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3, N-Channel 800 V 11A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
568 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPA11N80C3XKSA2.jpg
Package / Case
TO-220-3 Isolated Tab
Supplier Device Package
PG-TO220-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 680µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 100 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP000216321
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
SPA11N80
Power Dissipation (Max)
34W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PF50WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 900V 51A 200W TO247AC, IGBT - 900 V 51 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSM100GD120DLCBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRLU120NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IPP80N04S404AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3, N-Channel 40 V 80A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IKW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPD135N08N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3, N-Channel 80 V 45A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее