г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPA20N60C3XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SPA20N60C3XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Цена
1 078 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPA20N60C3XKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-3-31
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPA20N60C3IN,SP000216354,SPA20N60C3XTIN,SPA20N60C3XTIN-ND,SPA20N60C3,SPA20N60C3ININACTIVE,SPA20N60C3IN-NDR,SPA20N60C3X,SPA20N60C3IN-ND,SP000013659
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
SPA20N60
Power Dissipation (Max)
34.5W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PH40UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 41A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7105PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 25V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: AUIRF7342QTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IRF7831TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO, N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BFR93AWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT323-3, RF Transistor NPN 12V 90mA 6GHz 300mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: BSC028N06LS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON, N-Channel 60 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее