г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPA20N60C3XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SPA20N60C3XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Цена
1 078 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPA20N60C3XKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-3-31
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPA20N60C3IN,SP000216354,SPA20N60C3XTIN,SPA20N60C3XTIN-ND,SPA20N60C3,SPA20N60C3ININACTIVE,SPA20N60C3IN-NDR,SPA20N60C3X,SPA20N60C3IN-ND,SP000013659
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
SPA20N60
Power Dissipation (Max)
34.5W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC0906NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSC0906 - 12V-300V N-CHANNEL POW,
Подробнее
Артикул: BSO4804
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Подробнее
Артикул: DF200R12KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 1040W, IGBT Module - Single 1200 V 1040 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: FF23MR12W1M1B11BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: AUIRFR5505
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK, P-Channel 55 V 18A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRGP4063DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 96A TO247AC, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AC
Подробнее