г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPD07N20 Infineon Technologies

Артикул
SPD07N20
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 7A TO252-3, N-Channel 200 V 7A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPD07N20.jpg
Supplier Device Package
PG-TO252-3
REACH Status
REACH Affected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPD07N20XT,SPD07N20-ND,SPD07N20INCT,SPD07N20INDKR,SPD07N20INTR,SP000077394,SPD07N20NT
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFS4010TRL7PP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK, N-Channel 100 V 190A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFU9024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BF5030WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FET RF 8V 800MHZ SOT343, RF Mosfet N-Channel 3 V 10 mA 800MHz 24dB - SOT-343
Подробнее
Артикул: FS50R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 75A 270W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 75 A 270 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: AUIRFS8408-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFIZ24E
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP, N-Channel 60 V 14A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее