г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPD50N03S2L-06 Infineon Technologies

Артикул
SPD50N03S2L-06
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3, N-Channel 30 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Цена
109 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPD50N03S2L-06.jpg
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 85µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2530 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IFEINFSPD50N03S2L-06,SPD50N03S2L06INCT,2156-SPD50N03S2L-06-ITTR,SPD50N03S2L06,SPD50N03S2L06INTR
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
136W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPG16N10S461ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Подробнее
Артикул: BSM50GX120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-2, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IPD180N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3, N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF7488TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 6.3A 8SO, N-Channel 80 V 6.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSC670N25NSFDATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1, N-Channel 250 V 24A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: SMBTA06
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее