г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPP15P10PLHXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SPP15P10PLHXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3, P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
315 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPP15P10PLHXKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1.54mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPP15P10PL H,SPP15P10PLH,SP000683162,SPP15P10PL H-ND
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
SPP15P10
Power Dissipation (Max)
128W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD50R399CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 550V 9A TO252-3, N-Channel 550 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IRFS4227TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK, N-Channel 200 V 62A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCR133SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRG8P60N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC, IGBT - 1200 V 100 A 420 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRGB4607DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 58W TO220, IGBT - 600 V 11 A 58 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPW55N80C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3, N-Channel 800 V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее