г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPW47N60C3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SPW47N60C3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3, N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
3 018 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPW47N60C3FKSA1.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
320 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPW47N60C3,SPW47N60C3XK,SPW47N60C3X,SPW47N60C3IN-ND,SPW47N60C3XTIN,SP000013953,SPW47N60C3IN,SPW47N60C3IN-NDR,SPW47N60C3XTIN-ND
Standard Package
30
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
SPW47N60
Power Dissipation (Max)
415W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR540ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK, N-Channel 100 V 35A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRGB15B60KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 208W TO220AB, IGBT NPT 600 V 31 A 208 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPP65R190C7FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3, N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRLL2705TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223, N-Channel 55 V 3.8A (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: FD250R65KE3KNOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 6500V 250A 4800W, IGBT Module - Single 6500 V 250 A 4800 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BAS2103WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323, Diode Standard 200 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее