г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPW47N60C3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SPW47N60C3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3, N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
3 018 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPW47N60C3FKSA1.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
320 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SPW47N60C3,SPW47N60C3XK,SPW47N60C3X,SPW47N60C3IN-ND,SPW47N60C3XTIN,SP000013953,SPW47N60C3IN,SPW47N60C3IN-NDR,SPW47N60C3XTIN-ND
Standard Package
30
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
SPW47N60
Power Dissipation (Max)
415W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSP316PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4, P-Channel 100 V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRFB4510PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB, N-Channel 100 V 62A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLS3034TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IDP30E60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IDP30E60 - SILICON POWER DIODE, Diode
Подробнее
Артикул: IPG20N06S2L35AATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A (Tc) 65W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Подробнее
Артикул: BAR6406E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Anode 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее