г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N5362B NTE Electronics

Артикул
1N5362B
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 28V 5W AXIAL, Zener Diode 28 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Цена
131 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N5362B.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
28 V
Power - Max
5 W
Current - Reverse Leakage @ Vr
500 nA @ 21.2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.2 V @ 1 A
Tolerance
±5%
Supplier Device Package
Axial
Package / Case
T-18, Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N5362B
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
6 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N3702
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- AMP DRIVER, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 500 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 2N6287
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 20A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 20 A - 160 W Chassis Mount TO-3
Подробнее
Артикул: TIP31C
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 3A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NTE6412
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-DIAC 63V+-7V 2A, Diac/Sidac Thyristor 56 ~ 70V -
Подробнее
Артикул: 2N6385
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 80V 10A TO204AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 10 A - 6 W Through Hole TO-204AA (TO-3)
Подробнее
Артикул: NTE103
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN GE-AF PREAMP DR PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 24 V 150 mA - 150 mW Through Hole TO-204AA (TO-3)
Подробнее