г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N5819 NTE Electronics

Артикул
1N5819
Бренд
NTE Electronics
Описание
R-SCHOTTKY 40V 1A, Diode Schottky 40 V 1A Through Hole DO-41
Цена
52 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/1N5819.jpg
Package / Case
DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package
DO-41
Diode Type
Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
40 V
Current - Average Rectified (Io)
1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
500 µA @ 40 V
Capacitance @ Vr, F
110pF @ 4V, 1MHz
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard Package
1
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
2368-1N5819
Operating Temperature - Junction
-65°C ~ 125°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5371B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 60V 5W AXIAL, Zener Diode 60 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N5686
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 80V 50A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 50 A 2MHz 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: NTE5995
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-600 PRV 40A ANODE CASE, Diode Standard 600 V 40A Stud Mount DO-5
Подробнее
Артикул: 1N5401
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-100 PRV 3A, Diode Standard 100 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 1N4007
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 1000V 1A, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MJ10001
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARL SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 20 A - 175 W Through Hole TO-3
Подробнее