г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N756A NTE Electronics

Артикул
1N756A
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35, Zener Diode 8.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Цена
23 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N756A.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
8.2 V
Power - Max
500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr
100 nA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.5 V @ 200 mA
Tolerance
±5%
Supplier Device Package
DO-35
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N756A
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
8 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE331
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 15A TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 15 A 3MHz 90 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N5245B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 15V 500MW, Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: 2N2405
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 90V 1A TO39, Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 1 A - 1 W Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: 2N5684
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 80V 50A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 50 A 2MHz 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: NTE5742
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-3 PHASE BRIDGE 800V 75A, Bridge Rectifier Three Phase Standard 800 V Chassis Mount -
Подробнее
Артикул: MJ10016
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO HIV DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 500 V 50 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее