г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N914B NTE Electronics

Артикул
1N914B
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Цена
14 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/1N914B.jpg
Supplier Device Package
DO-35
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
100 V
Current - Average Rectified (Io)
200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1 V @ 100 mA
Reverse Recovery Time (trr)
4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 µA @ 75 V
Capacitance @ Vr, F
4pF @ 0V, 1MHz
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Speed
Small Signal =
Standard Package
1
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Other Names
2368-1N914B
Operating Temperature - Junction
-65°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N4007
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE 1A 1000V DO-41 STD., Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 1N5341B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 5W AXIAL, Zener Diode 6.2 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N5550
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: 2N5401
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 150V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: 2N3904
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: NTE342
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN RF PO 7W TYP TO-220 TYPE, Bipolar (BJT) Transistor NPN 17 V 2 A - 1.5 W Through Hole TO-220
Подробнее