MPSH10 NTE Electronics
Артикул
MPSH10
Бренд
NTE Electronics
Описание
RF TRANS NPN 25V 650MHZ, RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole
Цена
26 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/MPSH10.jpg
Frequency - Transition
650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 4mA, 10V
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25V
Gain
-
Power - Max
350mW
Standard Package
1
Other Names
2368-MPSH10
HTSUS
8541.21.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Noise Figure (dB Typ @ f)
-
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут