г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE218 NTE Electronics

Артикул
NTE218
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 80V 4A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 4 A 3MHz 25 W Through Hole TO-3
Цена
940 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/NTE218.jpg
Supplier Device Package
TO-3
Power - Max
25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 100mA, 1V
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Standard Package
1
Other Names
2368-NTE218
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
3MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5249B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 19V 500MW, Zener Diode 19 V 500 mW ±5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: 1N4004
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE,400V,1A,DO-41,STD., Diode Standard 400 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: TIP127
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N5239B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 9.1V 500MW, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: 1N5259B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 39V 500MW, Zener Diode 39 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: MPSA13
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DARL PREAMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее