г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE6401 NTE Electronics

Артикул
NTE6401
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-UNIJUNCTION SI, Programmable Unijunction Transistor (UJT) - 300 mW TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Цена
1 564 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Programmable Unijunction, Транзисторы - программируемые однопереходные
Image
files/NTE6401.jpg
Current - Valley (Iv)
6 mA
Power Dissipation (Max)
300 mW
Voltage - Output
-
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Voltage
-
Standard Package
1
Other Names
2368-NTE6401
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Current - Peak
5 µA

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: UF4003
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-200V 1A ULTRA FAST, Diode Standard 200 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MJ10007
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARL SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 10 A - 150 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 2N4400
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 40V 600MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 2N5486
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-JFET N CHANNEL, RF Mosfet N-Channel JFET 15 V 4 mA 400MHz - - TO-92
Подробнее
Артикул: 2N3054
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 55V 4A TO66, Bipolar (BJT) Transistor NPN 55 V 4 A 3MHz 25 W Through Hole TO-66
Подробнее
Артикул: NTE240
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 300V 500MA TO202N, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 60MHz 1 W Through Hole TO-202N
Подробнее