г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

RGP30G NTE Electronics

Артикул
RGP30G
Бренд
NTE Electronics
Описание
R-400V 3A FAST SW, Diode Standard 400 V 3A Through Hole DO-201AD
Цена
138 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/RGP30G.jpg
Supplier Device Package
DO-201AD
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
400 V
Current - Average Rectified (Io)
3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.3 V @ 3 A
Reverse Recovery Time (trr)
150 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 µA @ 400 V
Capacitance @ Vr, F
60pF @ 4V, 1MHz
Package / Case
DO-201AD, Axial
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard Package
1
Series
RGP30
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
2368-RGP30G
Operating Temperature - Junction
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5060
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-400PRV 1A, Diode Avalanche 400 V 3A Through Hole SOD-57
Подробнее
Артикул: NTE128
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 80V 1A TO39, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 400MHz 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: BU406D
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 7 A 10MHz 60 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MPSA14
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DARL PREAMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: 1N757A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: MMBTA06
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DRIVER, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее