г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP126 NTE Electronics

Артикул
TIP126
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 5 A 4MHz 65 W Through Hole TO-220-3
Цена
179 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/TIP126.jpg
Supplier Device Package
TO-220-3
Power - Max
65 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)
500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 3V
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-TIP126
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5408
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-1000 PRV 3A, Diode Standard 1000 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: NTE127
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 320V 10A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 320 V 10 A - 5 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: NTE180
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 30A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 30 A 2MHz 200 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: MJE13007
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 400V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 14MHz 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N3904
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N825A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее