г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDS8858CZ onsemi

Артикул
FDS8858CZ
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 8.6/7.3A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.6A, 7.3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Цена
183 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FDS8858CZ.jpg
Supplier Device Package
8-SOIC
Power - Max
900mW
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.6A, 7.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1205pF @ 15V
FET Feature
Logic Level Gate
Other Names
FDS8858CZTR,FDS8858CZDKR,FDS8858CZCT
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
2,500
Base Product Number
FDS8858
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: HGTP5N120BND
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 21A 167W TO220AB, IGBT NPT 1200 V 21 A 167 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MMBD4148CC
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1N914TR
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: FJV992FMTF
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 120V 50MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 50 mA 50MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BD681S
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: FGY75T120SQDN
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 75A UFS, IGBT Field Stop 1200 V 150 A 790 W Through Hole TO-247-3
Подробнее