г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMUN2132LT1G onsemi

Артикул
MMUN2132LT1G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Цена
26 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/MMUN2132LT1G.jpg
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 5mA, 10V
Power - Max
246 mW
REACH Status
REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Other Names
MMUN2132LT1GOSTR,MMUN2132LT1GOSDKR,ONSONSMMUN2132LT1G,2156-MMUN2132LT1G-OS,MMUN2132LT1GOSCT,MMUN2132LT1G-ND
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Base Product Number
MMUN2132
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FDP18N50
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3, N-Channel 500 V 18A (Tc) 235W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: NTD4805NT4G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK, N-Channel 30 V 12.7A (Ta), 95A (Tc) 1.41W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: FDB52N20TM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK, N-Channel 200 V 52A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: NJL1302DG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DIODE 260V 15A TO264, Bipolar (BJT) Transistor PNP + Diode (Isolated) 260 V 15 A 30MHz 200 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: MUR860
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Diode Standard 600 V 8A Through Hole TO-220-2
Подробнее
Артикул: NRVTSA4100T3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 4A SMA, Diode Schottky 100 V 4A Surface Mount SMA
Подробнее