г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSB014N04LX3GXUMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSB014N04LX3GXUMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
16900 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Other Names
BSB014N04LX3 GCT-ND,BSB014N04LX3GXUMA1TR,BSB014N04LX3 GDKR,BSB014N04LX3 G,BSB014N04LX3 GCT,BSB014N04LX3GXUMA1CT,BSB014N04LX3 GTR-ND,BSB014N04LX3GXUMA1DKR,SP000597850,BSB014N04LX3 GDKR-ND,BSB014N04LX3 G-ND
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
5,000
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-WDSON
Supplier Device Package
MG-WDSON-2, CanPAK M™
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR141E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRF3805STRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55 V 75A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7241TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO, P-Channel 40 V 6.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPD180N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3, N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее