г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PC50UD-EPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PC50UD-EPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 55A 200W TO247-3, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Цена
858 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PC50UD-EPBF.jpg
Power - Max
200 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
220 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 27A
Switching Energy
990µJ (on), 590µJ (off)
Gate Charge
180 nC
Td (on/off) @ 25°C
46ns/140ns
Test Condition
480V, 27A, 5Ohm, 15V
Other Names
IRG4PC50UDEPBF,SP001544774,*IRG4PC50UD-EPBF
Mounting Type
Through Hole
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
400
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA80R650CEXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F, N-Channel 800 V 8A (Ta) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Подробнее
Артикул: MMBT3904LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW25N120H3 - 1200V, 25A IGBT DI, IGBT
Подробнее
Артикул: SGW30N60HS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPW60R160P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: BSC009NE2LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON, N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее