г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF2804S Infineon Technologies

Артикул
AUIRF2804S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
522 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF2804S.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6450 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
2156-AUIRF2804S,INFIRFAUIRF2804S,SP001520210
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BAT1704E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPI80CN10N G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: AUIRLR3705Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IM393X6FXKLA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER MODULE 600V 20A MDIP22, Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 600 V 20 A 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRLL024ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223, N-Channel 55 V 5A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее