г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFS8407-7P Infineon Technologies

Артикул
AUIRFS8407-7P
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7, N-Channel 40 V 240A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Цена
763 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRFS8407-7P.jpg
Other Names
SP001518052
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
231W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7437 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
AUIRF8407
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab)
Supplier Device Package
PG-TO263-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL3803PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB, N-Channel 30 V 140A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4BC30WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPU11N10
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10.5A TO251-3, N-Channel 100 V 10.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole P-TO251-3-1
Подробнее
Артикул: FF300R12KT3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 480A 1450W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 480 A 1450 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSZ520N15NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON, N-Channel 150 V 21A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRF7410GTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее