г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFZ44N Infineon Technologies

Артикул
AUIRFZ44N
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB, N-Channel 55 V 49A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRFZ44N.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
94W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1470 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001519708
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC050NE2LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON, N-Channel 25 V 39A (Ta), 58A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: FP50R12KT4B16BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 280W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 100 A 280 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRG4BC20KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC0500NSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON, N-Channel 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: FF1400R17IP4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 1400A, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1700 V 1400 A 955000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPW60R280C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3, N-Channel 600 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее