г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC0500NSIATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON, N-Channel 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
379 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC0500NSIATMA1.jpg
Other Names
BSC0500NSIATMA1-ND,BSC0500NSIATMA1CT,BSC0500NSIATMA1DKR,BSC0500NSIATMA1TR,SP001288136
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3300 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC0500
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA95R450P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 14A TO220, N-Channel 950 V 14A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRLL024NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223, N-Channel 55 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IRF200P222
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC, N-Channel 200 V 182A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF3707
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB, N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PC30KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 28A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 28 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BUP213
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 32A 200W TO220, IGBT - 1200 V 32 A 200 W Through Hole TO-220AB
Подробнее