г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAS170WE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAS170WE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323-2, Diode Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Цена
76 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/BAS170WE6327HTSA1.jpg
Base Product Number
BAS170
Other Names
BAS 170W E6327CT-ND,BAS170WE6327HTSA1DKR,BAS 170W E6327TR-ND,BAS170WE6327BTSA1,BAS170WE6327,BAS170WE6327XT,BAS170WE6327HTSA1TR,BAS 170W E6327CT,BAS 170W E6327DKR,BAS 170W E6327DKR-ND,BAS 170W E6327-ND,SP000010216,2156-BAS170WE6327HTSA1,BAS 170W E6327,IFEI
Speed
Small Signal =
Diode Type
Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
70 V
Reverse Recovery Time (trr)
100 ps
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
100 nA @ 50 V
Operating Temperature - Junction
150°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)
70mA (DC)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Package / Case
SC-76, SOD-323
Supplier Device Package
PG-SOD323-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Capacitance @ Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRF3808S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK, N-Channel 75 V 106A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFS30067PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: FF600R12KE4PBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 600 A Chassis Mount AG-62MM-1
Подробнее
Артикул: BCR141WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: MMBT3906LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: AUIRFS4010-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK, N-Channel 100 V 190A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее