BCR133WH6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR133WH6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

3 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR133WH6327.jpg

REACH Status

Vendor Undefined

Standard Package

Other Names

IFEINFBCR133WH6327,2156-BCR133WH6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

Not applicable

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF7103QTRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO

Подробнее

Артикул: BSC440N10NS3GATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON, N-Channel 100 V 5.3A (Ta), 18A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Подробнее

Артикул: AUIRF2907Z

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB, N-Channel 75 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB

Подробнее

Артикул: IRF9332TRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO, P-Channel 30 V 9.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Подробнее

Артикул: IRFS3004PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Ta) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK

Подробнее

Артикул: IRGS4056DPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT 600V 24A 140W D2PAK, IGBT Trench 600 V 24 A 140 W Surface Mount D2PAK

Подробнее

BCR133WH6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята