BCR133WH6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR133WH6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

3 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR133WH6327.jpg

REACH Status

Vendor Undefined

Standard Package

Other Names

IFEINFBCR133WH6327,2156-BCR133WH6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

Not applicable

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IDH06SG60CXKSA2

Бренд: Infineon Technologies

Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1

Подробнее

Артикул: IRLZ24NSTRLPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK, N-Channel 55 V 18A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK

Подробнее

Артикул: BCR198E6327HTSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23

Подробнее

Артикул: IRF6201PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 20V 27A 8SO, N-Channel 20 V 27A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Подробнее

Артикул: IRFU3910PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Подробнее

Артикул: IRG4PH50KDPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC

Подробнее

BCR133WH6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята