BCR133WH6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR133WH6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

3 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR133WH6327.jpg

REACH Status

Vendor Undefined

Standard Package

Other Names

IFEINFBCR133WH6327,2156-BCR133WH6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

Not applicable

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IKW40N60H3FKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1

Подробнее

Артикул: BUZ30AHXKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3, N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Подробнее

Артикул: BUZ31L

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3, N-Channel 200 V 13.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Подробнее

Артикул: IGW25N120H3FKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGW25N120H3 - 1200V, 25A IGBT DI, IGBT

Подробнее

Артикул: IRFR7740TRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK, N-Channel 75 V 87A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Подробнее

Артикул: IRFL014NTRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223, N-Channel 55 V 1.9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Подробнее

BCR133WH6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята