BCR133WH6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR133WH6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

3 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR133WH6327.jpg

REACH Status

Vendor Undefined

Standard Package

Other Names

IFEINFBCR133WH6327,2156-BCR133WH6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

Not applicable

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DD1200S17H4B2BOSA2

Бренд: Infineon Technologies

Описание: DIODE MODULE 1200V 1200A, Diode Array 2 Independent Standard 1700 V - Chassis Mount Module

Подробнее

Артикул: IRF530NS

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount D2PAK

Подробнее

Артикул: IRG4BC30W

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB

Подробнее

Артикул: IRF7478TRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO, N-Channel 60 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Подробнее

Артикул: IPT010N08NM5ATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8, N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8

Подробнее

Артикул: IRLR8103

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK, N-Channel 30 V 89A (Ta) 89W (Ta) Surface Mount D-Pak

Подробнее

BCR133WH6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята