г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BDP956 Infineon Technologies

Артикул
BDP956
Бренд
Infineon Technologies
Описание
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
184 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BDP956.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1,000
Other Names
2156-BDP956,INFINFBDP956
HTSUS
8541.29.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF6662TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET, N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее
Артикул: IRLR024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF7769L2TR1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET, N-Channel 100 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Подробнее
Артикул: IRLR6225PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK, N-Channel 20 V 100A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: FF150R12ME3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 200A 695W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount AG-ECONOD-3
Подробнее
Артикул: DD1200S17H4_B2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DD1200S17 - RECTIFIER DIODE MODU, Diode
Подробнее