г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR108E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR108E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 170 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
41 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR108E6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR 108 E6327-ND,BCR108E6327HTSA1CT,BCR108E6327INCT,BCR108E6327INDKR,BCR108E6327,BCR108E6327INCT-ND,BCR108E6327INTR-ND,BCR108E6327INTR,BCR 108 E6327,BCR108E6327INDKR-ND,BCR108E6327HTSA1TR,BCR108E6327HTSA1DKR,BCR108E6327BTSA1,BCR108E6327XT,SP000010736
Power - Max
200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
170 MHz
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Base Product Number
BCR108
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC160N15NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON, N-Channel 150 V 56A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRF1010NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK, N-Channel 55 V 85A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247AC, IGBT Trench 1200 V 50 A 180 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7832Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO, N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF3205SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRLR2905TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее