г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR182E-6327 Infineon Technologies

Артикул
BFR182E-6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF N-CHANNEL MOSFET, RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount SOT-23
Цена
16 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR182E-6327.jpg
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Supplier Device Package
SOT-23
Power - Max
250mW
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition
8GHz
Gain
9.5dB
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
INFINFBFR182E-6327,2156-BFR182E-6327
Series
Automotive, AEC-Q101, BFR182
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS Status
Not applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.3dB @ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3415L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A TO262, N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IKW50N65F5FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3, IGBT - 650 V 80 A 305 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BCV49H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-4, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 500 mA 150MHz 1 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: BSC018NE2LSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON, N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: SKP04N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 9.4 A 50 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7704
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP, P-Channel 40 V 4.6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее