г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR182E-6327 Infineon Technologies

Артикул
BFR182E-6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF N-CHANNEL MOSFET, RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount SOT-23
Цена
16 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR182E-6327.jpg
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Supplier Device Package
SOT-23
Power - Max
250mW
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition
8GHz
Gain
9.5dB
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
INFINFBFR182E-6327,2156-BFR182E-6327
Series
Automotive, AEC-Q101, BFR182
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS Status
Not applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.3dB @ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PF50WDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 900V 51A 200W TO247AC, IGBT - 900 V 51 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FF200R12KS4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 275A 1400W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: AUIRF9540N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 23A TO220, P-Channel 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFZ48VPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB, N-Channel 60 V 72A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRAM136-1060A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 10A MOTOR, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRF5806
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6, P-Channel 20 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее