г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR182E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFR182E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
74 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR182E6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFR182
Other Names
BFR182E6327INDKR-ND,BFR182E6327HTSA1TR,SP000011051,INFINFBFR182E6327HTSA1,BFR182E6327INDKR,BFR182E6327,BFR182E6327XT,2156-BFR182E6327HTSA1,BFR182E6327INTR,BFR 182 E6327-ND,BFR182E6327BTSA1,BFR182E6327HTSA1DKR,BFR182E6327HTSA1CT,BFR182E6327INCT,BFR182E6327
Power - Max
250mW
Gain
12dB ~ 18dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Current - Collector (Ic) (Max)
35mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition
8GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB61N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRFB61N15 - 12V-300V N-CHANNEL P, N-Channel 150 V 60A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAT6406WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 40 V 120mA Surface Mount SC-70, SOT-323
Подробнее
Артикул: IRF3706
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB, N-Channel 20 V 77A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPW60R037P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3, N-Channel 650 V 76A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IPB160N04S4H1ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7, N-Channel 40 V 160A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Подробнее
Артикул: BCR158
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее