г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR183E6327 Infineon Technologies

Артикул
BFR183E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFR183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Цена
12 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR183E6327.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Other Names
INFINFBFR183E6327,2156-BFR183E6327
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7807
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO, N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4PC50WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFH8318TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN, N-Channel 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: AUIRF7675M2TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET, N-Channel 150 V 4.4A (Ta), 18A (Tc) 2.7W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric M2
Подробнее
Артикул: BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IPB60R380C6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK, N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее