г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR183E6327 Infineon Technologies

Артикул
BFR183E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFR183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Цена
12 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR183E6327.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Other Names
INFINFBFR183E6327,2156-BFR183E6327
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7309PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF2807SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK, N-Channel 75 V 82A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFB4332PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB, N-Channel 250 V 60A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLU7833
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK, N-Channel 30 V 140A (Tc) 140W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: IRF540ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK, N-Channel 100 V 36A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: AUIRGP35B60PD-E
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 308W TO247AD, IGBT NPT 600 V 60 A 308 W Through Hole TO-247AD
Подробнее