г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFR183E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
88 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR183E6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFR183
Other Names
BFR183E6327HTSA1TR,BFR 183 E6327,BFR 183 E6327CT,BFR 183 E6327DKR,INFINFBFR183E6327HTSA1,BFR183E6327,SP000011054,BFR183E6327HTSA1CT,2156-BFR183E6327HTSA1,BFR 183 E6327DKR-ND,BFR183E6327HTSA1DKR,BFR 183 E6327-ND,BFR183E6327XT,BFR 183 E6327CT-ND,BFR 183 E63
Power - Max
450mW
Gain
17.5dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Current - Collector (Ic) (Max)
65mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition
8GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF4104SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IKW50N60TAFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 333 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7341PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRL5602
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 24A TO220AB, P-Channel 20 V 24A (Tc) - Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPAN60R125PFD7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 25A TO220, N-Channel 650 V 25A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: SPD30P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3, P-Channel 60 V 30A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее