г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFS483H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFS483H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6, RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
143 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFS483H6327XTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFS483
Other Names
BFS483H6327XTSA1TR,BFS 483 H6327DKR,BFS 483 H6327CT,BFS483H6327XTSA1CT,BFS 483 H6327,BFS 483 H6327DKR-ND,BFS483H6327XTSA1DKR,BFS 483 H6327-ND,SP000750464,BFS 483 H6327CT-ND,BFS 483 H6327TR-ND
Power - Max
450mW
Gain
19dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Current - Collector (Ic) (Max)
65mA
Transistor Type
2 NPN (Dual)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition
8GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF6636
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET, N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Подробнее
Артикул: IRF9Z34NSTRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK, P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IHW30N135R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 60 A 349 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IPB60R380C6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK, N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: SGW15N120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 30A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFP3710PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC, N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее