г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC026N02KSG Infineon Technologies

Артикул
BSC026N02KSG
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Цена
114 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC026N02KSG.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-BSC026N02KSG,IFEINFBSC026N02KSG
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLU024N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: MMBTA92LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 50MHz 360 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BCV48H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 500 mA 200MHz 1 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IPD60R400CEAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252, N-Channel 600 V 14.7A (Tc) 112W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
Подробнее
Артикул: SDT04S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IKD04N60R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3, IGBT Trench 600 V 8 A 75 W Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее

Ваша заявка принята