г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC034N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC034N03LSGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON, N-Channel 30 V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Цена
91 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC034N03LSGATMA1.jpg
Other Names
BSC034N03LS G,SP000475948,BSC034N03LSGATMA1TR,BSC034N03LS G-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 57W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4300 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC034
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-5
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP064NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFB38N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB, N-Channel 200 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAT2402LSE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSSLP-2-1
Подробнее
Артикул: IRF8113PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO, N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFR3711
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK, N-Channel 20 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRLZ34NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK, N-Channel 55 V 30A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее