г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC040N08NS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON, N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
362 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC040N08NS5ATMA1.jpg
Other Names
BSC040N08NS5ATMA1DKR,BSC040N08NS5ATMA1CT,BSC040N08NS5ATMA1TR,BSC040N08NS5ATMA1-ND,SP001132452
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 67µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 40 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC040
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFS4310TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: SPP15N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3-1, N-Channel 600 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IKW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BFQ19SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3, RF Transistor NPN 15V 120mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IRLR3714
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 36A DPAK, N-Channel 20 V 36A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее