г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC150N03LDGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Цена
181 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSC150N03LDGATMA1.jpg
Base Product Number
BSC150
Other Names
BSC150N03LD GTR,BSC150N03LDGATMA1DKR,BSC150N03LDGATMA1TR,BSC150N03LD G-ND,SP000359362,BSC150N03LD GDKR,BSC150N03LD GCT,BSC150N03LD G,BSC150N03LDG,BSC150N03LD GDKR-ND,BSC150N03LD GTR-ND,BSC150N03LD GCT-ND,BSC150N03LDGATMA1CT
Power - Max
26W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 15V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
5,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-4
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP120P04P4L03AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3, P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BAS7004E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SCHOTTKY DIODE, Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRFS3006TRL7PP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK, N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: FP50R12KT4GBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 50A 280W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 50 A 280 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRL40B212
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGB4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 48A TO220AB, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-220AB
Подробнее