г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC150N03LDGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Цена
181 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSC150N03LDGATMA1.jpg
Base Product Number
BSC150
Other Names
BSC150N03LD GTR,BSC150N03LDGATMA1DKR,BSC150N03LDGATMA1TR,BSC150N03LD G-ND,SP000359362,BSC150N03LD GDKR,BSC150N03LD GCT,BSC150N03LD G,BSC150N03LDG,BSC150N03LD GDKR-ND,BSC150N03LD GTR-ND,BSC150N03LD GCT-ND,BSC150N03LDGATMA1CT
Power - Max
26W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 15V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
5,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-4
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC40FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 49A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 49 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFR15N20DTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK, N-Channel 200 V 17A (Tc) 3W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: IDW100E60FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 150A TO247-3, Diode Standard 600 V 150A (DC) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF6217TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO, P-Channel 150 V 700mA (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: AUIRFP1405
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A, N-Channel 55 V 95A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SGW50N60HS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 100 A 416 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее