г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC150N03LDGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Цена
181 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSC150N03LDGATMA1.jpg
Base Product Number
BSC150
Other Names
BSC150N03LD GTR,BSC150N03LDGATMA1DKR,BSC150N03LDGATMA1TR,BSC150N03LD G-ND,SP000359362,BSC150N03LD GDKR,BSC150N03LD GCT,BSC150N03LD G,BSC150N03LDG,BSC150N03LD GDKR-ND,BSC150N03LD GTR-ND,BSC150N03LD GCT-ND,BSC150N03LDGATMA1CT
Power - Max
26W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 15V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
5,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-4
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFS7730TRL7PP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK, N-Channel 75 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IGW50N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Подробнее
Артикул: BSD235CH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V SOT363, Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6-1
Подробнее
Артикул: BSS169H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3, N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRL7833PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB, N-Channel 30 V 150A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLBA3803P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220, N-Channel 30 V 179A (Tc) 270W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Подробнее